China logra un avance clave: transistores GAA mediante litografía UVP

El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) ha alcanzado un hito significativo en la carrera por la fabricación de semiconductores de vanguardia. Según informes recientes, han logrado integrar experimentalmente transistores de tipo GAA (Gate-All-Around) de nanosheets apiladas utilizando litografía de ultravioleta profundo (UVP), una técnica que podría reducir la dependencia de las máquinas de litografía de ultravioleta extremo (UVE) de ASML.

El reto de la fabricación sin UVE

Actualmente, las sanciones internacionales impiden a los fabricantes chinos acceder a los equipos de litografía UVE, considerados esenciales para la producción de chips avanzados como los de 3 nm o 2 nm. Ante esta limitación, el sector tecnológico en China ha intensificado el desarrollo de sus propias capacidades, centrando sus esfuerzos en optimizar la tecnología UVP. Aunque la litografía UVP emplea una longitud de onda de 193 nm, mucho mayor que los 13,5 nm de la UVE, el uso de técnicas avanzadas de multiple patterning y procesos de deposición permite construir estructuras de dimensiones nanométricas.

Potencial de los transistores GAA

La implementación de la arquitectura GAA es una estrategia clave para mejorar la eficiencia y el rendimiento de los circuitos integrados, permitiendo a la industria dar el salto tecnológico necesario para competir con los estándares globales de 3 nm. Al abandonar los transistores FinFET tradicionales y adoptar esta nueva estructura, IMECAS busca cerrar la brecha competitiva frente a fabricantes líderes como Samsung, TSMC e Intel. Es importante destacar que, si bien este avance experimental es un paso relevante para la industria, no garantiza una producción masiva de chips de 3 nm a corto plazo mediante UVP. La complejidad de implementar estos procesos a gran escala sigue siendo un desafío técnico considerable, ya que el aumento en los pasos de fabricación puede afectar el rendimiento por oblea. No obstante, el desarrollo de estos transistores GAA representa una vía estratégica para que China mitigue los efectos de las restricciones tecnológicas externas.