Nanya Technology invierte 16.000 millones para cambiar el mercado de memorias

El mercado global de memorias DRAM, dominado históricamente por Samsung, SK hynix, Micron y CXMT, se prepara para un cambio estratégico. La taiwanesa Nanya Technology, que actualmente representa cerca del 2% de la cuota mundial, ha anunciado la inversión más ambiciosa de su historia: 16.000 millones de dólares destinados a su planta Fab5A.Instalaciones de Nanya Technology

Tecnología de vanguardia para estabilizar precios

El objetivo de esta inyección de capital es dotar a su infraestructura de capacidad para producir chips DRAM de 10 nm, abarcando los nodos 1b, 1c, 1d y 1e. Para lograrlo, la compañía integrará equipos de litografía de ultravioleta extremo (UVE) de ASML. Este movimiento es clave para los usuarios, ya que podría consolidar a Nanya como un actor capaz de amortiguar la presión sobre los precios de las memorias, un sector actualmente afectado por la alta demanda de chips HBM para inteligencia artificial.

La producción piloto en el nodo 1c ya está en marcha y los desarrollos para el nodo 1d avanzan según lo previsto. Se espera que las primeras obleas bajo estos estándares avanzados lleguen al mercado durante la segunda mitad de 2027.

Crecimiento proyectado hacia 2029

La estrategia de expansión es clara: Nanya prevé alcanzar una capacidad de 30.000 obleas mensuales en 2028, elevando la cifra a 35.900 al año siguiente, hasta alcanzar un techo operativo de 45.000 obleas al mes en la planta Fab5A. Procesos de manufactura tecnológicaA pesar de su modesta posición actual frente a los gigantes del sector, los resultados financieros de la empresa muestran una inercia positiva, impulsada por un incremento interanual de ingresos superior al 700% en el último reporte. Esta estabilidad financiera es el motor que permitirá a Nanya Technology escalar su producción y ofrecer una alternativa en un mercado que demanda mayor oferta para equilibrar sus costes.

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