China acelera su soberanía tecnológica: reducirá su déficit de chips al 34%

China ha trazado una hoja de ruta estratégica para transformar su industria de semiconductores y reducir drásticamente su dependencia exterior. Según datos recientes, el país enfrentó durante 2025 una brecha del 92% entre la demanda y su capacidad de producción de circuitos integrados avanzados, una situación que el gobierno busca revertir mediante el desarrollo de tecnología de litografía propia.

El desafío de la litografía UVE

El núcleo de este plan reside en la creación de equipos de litografía de ultravioleta extremo (UVE). Actualmente, China cuenta con un prototipo operativo en un laboratorio de Shenzhen, fruto de una iniciativa coordinada por Huawei que involucra a instituciones como el Instituto de Tecnología de Harbin y el Instituto de Óptica de Changchún. Aunque el objetivo es producir chips funcionales antes de 2030, la dependencia de técnicas de 'multiple patterning' para fabricar nodos de 7 nm con maquinaria antigua sigue siendo una solución temporal que, a largo plazo, limitará la competitividad de los componentes.

Proyecciones hacia 2035

Las estimaciones indican que la producción china de obleas en nodos avanzados crecerá a una tasa anual compuesta del 46% durante la próxima década. Este avance permitirá que, para 2035, el déficit de oferta interna se reduzca al 34%. La meta es alcanzar una capacidad de fabricación de 410.000 obleas mensuales, un esfuerzo que sitúa a SMIC como el actor clave en la infraestructura de producción nacional frente a una demanda interna proyectada de 619.000 unidades.

Indicador	2025	2035 (Proyección)
Déficit de chips avanzados	92%	34%
Capacidad mensual (obleas)	-	410.000

Este desarrollo tecnológico es fundamental para la industria de los semiconductores en Asia, marcando un cambio significativo en la balanza de poder global y en la capacidad de China para sostener su infraestructura de chips avanzados sin depender exclusivamente de suministros internacionales.